'트랜지스터'로만 구동..개발시 지각변동 예상

(서울=연합뉴스) 고형규 기자 = 하이닉스반도체가 신개념 메모리반도체 'Z램' 개발에 나선다.

   하이닉스는 스위스에 있는 메모리 기술개발 업체 '이노베이티브 실리콘'(Innovative Silicon ISI S.A)과 Z램 라이선스 계약을 했다고 14일 밝혔다.

   보통 D램 기억소자는 트랜지스터와 캐패시터로 구성되는데 비해 Z램은 캐패시터 없이 트랜지스터로만 구성돼있어 제품 크기는 물론 생산 비용까지 획기적으로 줄일 수 있을 것으로 기대되는 차세대 메모리 반도체다.

   하이닉스는 이번 계약에 따라 D램 업체로는 최초로 Z램 기술개발 노하우를 가진 이노베이티브 실리콘사로부터 Z램 라이선스를 얻어 양사의 연구인력을 공동 투입, 제품 개발에 들어가게 되며 앞으로 제품 개발 이후 양산시 이 업체에 일정한 기술이용 대가를 지불하게 될 것으로 보인다.

   특히 양사가 이 제품 개발에 성공, 양산할 경우 기존 메모리반도체를 장기적으로 대체하는 등 메모리 판도의 큰 변화가 예상된다.

   하이닉스는 "D램 기억소자는 전하를 담는 캐패시터와, 캐패시터를 여닫는 스위치 격인 트랜지스터로 이뤄져 있고 캐패시터가 전하를 담고 있으면 1, 담고 있지 않으면 0으로 처리되는 식으로 데이터를 저장하지만 Z램은 트랜지스터가 동작할 때 트랜지스터 안에 불필요한 양전하가 쌓이는 단점을 역이용해 이를 0과 1 상태를 표현하는 것으로 이용한다는 개념을 활용, 캐패시터 없이도 데이터 저장이 가능한 기술"이라고 말했다.

   이 과정에서 '실리콘 온 인슐레이터(Silicon on Insulator)'가 활용되는데 이는 실리콘-절연체-실리콘의 3층 구조로 돼있는 웨이퍼다.

   이것은 전자부품 내부 도체들 사이에서 발생하는 불필요한 전기적 용량 등에 따라 각 부품이 정상적인 동작에 나쁜 영향을 받는 것을 방지하는 역할을 한다. 회로를 형성하는 기판 표면과 하층 사이에 얇은 절연막이 있기 때문이다. 따라서 반도체 동작속도를 빠르게 할 수 있고 소비전력을 낮출 수 있다.

   하이닉스는 "특화된 기술 경쟁력을 확보하기 위해 R&D 분야에 역량을 집중하고 있다"면서 "앞으로도 반도체업계 내에서 제휴과 협력을 계속 확대해 변화하는 시장 상황에 대처할 계획"이라고 말했다.

   uni@yna.co.kr
(끝)
<저작권자(c)연합뉴스. 무단전재-재배포금지.>                                                   2007/08/14 10:14 송고